VisIC Technologies kooperiert mit TSMC, um die fortschrittlichsten 1200 V-GaN-basierten Stromversorgungslösungen der Branche anzubieten
(ots) -
VisIC Technologies entwickelt und vermarktet effiziente
GaN-basierte Stromversorgungskomponenten für
Energieumwandlungssysteme. Sie testen derzeit die ersten 1200
V-GaN-Module der Branche und geben eine wichtige
Fertigungspartnerschaft mit TSMC bekannt, die im vergangenen Jahr
ihre "GaN on Silicon"-Technologien veröffentlichten. Die technischen
Muster werden jetzt mit Hauptkunden konzipiert, und während der PCIM
China 2018 Shanghai werden Präsentationen für den Handel stattfinden.
(Logo: https://mma.prnewswire.com/media/638428/VisIC_Logo.jpg )
(Photo:
https://mma.prnewswire.com/media/638427/VisIC_1200V_module.jpg )
Dieses extrem schnelle Netzschaltmodul arbeitet mit dem höchsten
Wirkungsgrad der Branche und ermöglicht kleine, aber effiziente
xEV-Ladegeräte und USV-Systeme (Unterbrechungsfreie Stromversorgung).
Das neue VisIC-Modul basiert auf dem 650D "GaN on Silicon"-Prozess
von TSMC und nutzt die Breitbandabstandstechnologie, die die Welt der
xEV-Leistungselektronik und der Stromversorgung für Rechenzentren
revolutioniert. Der "GaN on Silicon"-Prozess von TSMC bietet darüber
hinaus hohe Produktionszahlen und schnelle Anlauffähigkeiten, während
das GaN-Transistordesign von VisIC beispiellose Leistung zur
Verfügung stellt. Die Schaltzeit von weniger als 10 Nanosekunden wird
durch ein HEMT-Design (High Electron Mobility Transistor)
gewährleistet, bei dem Elektronen in einem 2-dimensionalen
Quantenschacht fließen. Dies unterscheidet sich grundlegend vom
Elektronenfluss in SiC-MOSFETs.
Mit 1200 V-Nennspannung bietet das GaN-Modul einen typischen
Widerstand von nur 40 m?. Zielanwendungen sind Stromrichter für
Motorantriebe, dreiphasige Stromversorgungen und andere Anwendungen,
die eine Stromschaltung bis 50 A erfordern.
Das 1200 V-GaN-Element von VisIC ist ein Halbbrückenmodul, das
GaN-High-Electron-Mobility-Transistoren (HEMTs) mit Gegentakt-,
Überstrom- und Übertemperaturschutz in einem einzigen Gehäuse
integriert. Das Design nutzt die Vorteile der innovativen Advanced
Low Loss Switch (ALL-Switch©)-Technologie von VisIC, die ein
patentiertes, hochdichtes Lateral-Layout verwendet, das zu einer
schnellen Schaltleistung und niedrigem RDS(on) führt.
Das Hochspannungs-GaN-Modul bietet reduzierte Gate-Ladungen und
Kapazitäten mit niedrigem RDS(on). Die Schaltenergie für das
GaN-Gerät beträgt daher nur 140 µJ. Die Schaltverluste sind deshalb
drei- bis fünfmal geringer als bei vergleichbaren
Siliziumkarbid-MOSFETs.
Mit dem 1200 V-GaN-Modul von VisIC können Entwickler die
Systemgröße ohne Leistungseinbußen erheblich reduzieren und
ultrakleine EV-Ladegeräte für Elektroautos oder hocheffiziente
Motorantriebe für industrielle Anwendungen herstellen.
Laut dem Marktforschungs- und Strategieberatungsunternehmen Yole
Développement (Yole) wird der Markt für GaN-Stromversorgungsgeräte
für das Jahr 2022 auf über 332,5 Mio. US-Dollar geschätzt (Quelle:
GaN Power Epitaxy, Devices, Applications and Technology Trends
report, Yole Développement, November 2017), basierend auf Produkten,
die für 650 V Sperrspannung und darunter ausgelegt sind. Das neue
Produkt von VisIC eröffnet den Zugang zu einem größeren Markt von
Elementen mit 1200 V Sperrspannung, die derzeit von Silizium-IGBT-
und Siliziumkarbid-MOSFET-Modulen bedient werden.
"Wir freuen uns sehr über die Partnerschaft mit VisIC, einem
interessanten Neueinsteiger in den schnell wachsenden
GaN-Energiemarkt", sagte Maria Marced, Präsidentin von TSMC EMEA.
"Wir haben in großem Umfang Kapital und Technik in unsere
GaN-Fertigungskapazitäten investiert. Dadurch ist diese Plattform
sehr gut dafür geeignet, VisIC und deren Kundenanforderungen zu
unterstützen. Wir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit VisIC, um die
Einführung dieser neuen Plattform zu fördern."
Zusätzlich zu den USV- und xEV-Ladegeräten ermöglicht die 1200
V-GaN-Technologie eine breite Palette von Anwendungen für
Wechselrichter, die Hochstromanforderungen im Bereich von Hunderten
von Ampere haben. Diese Hochstromanwendungen erfordern eine
hochvolumige GaN-Fertigungskapazität, die TSMC zur Verfügung stellt.
"GaN hat bessere fundamentale physikalische Eigenschaften als
Silizium oder SiC, wie beispielsweise bei der maximalen
Durchschlagfeldstärke und Stromdichte. Es gibt keine grundsätzlichen
Einschränkungen für GaN-Produkte im Hochspannungs-Hochstromraum",
sagt Gregory Bunin, CTO bei VisIC. "Dank dieser
Fertigungspartnerschaft kann VisIC die Kapazität sehr schnell
erhöhen. Ich bin stolz auf die Partnerschaft mit TSMC. Sie sind
hervorragende, erstklassige Lieferkettenpartner, und ich bin
zuversichtlich, dass sie die drastischen Wachstumserwartungen, die
wir an unsere GaN-Stromversorgungsgeräte haben, unterstützen können."
Informationen zu TSMC:
Die Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) ist der
weltweit größte Halbleiter-Chiphersteller. TSMC bietet industrieweit
führende Prozesstechnologien sowie das unter Chip-Herstellern größte
Portfolio an Bibliotheken, IPs, Designtools und Referenz-Flows. Die
unternehmenseigene Kapazität im Jahr 2018 wird voraussichtlich 12
Millionen (12-Zoll-Äquivalent) Wafer übersteigen, einschließlich der
Kapazitäten von drei modernen 12-Zoll-GIGAFAB®-Anlagen, vier
8-Zoll-Chipfabriken und einer 6-Zoll-Chipfabrik in Taiwan, sowie den
100%igen Tochtergesellschaften WaferTech, TSMC China und TSMC
Nanjing. TSMC ist der erste Chip-Hersteller, der
7-nm-Produktionskapazitäten anbietet. Der Hauptsitz von TSMC befindet
sich in Hsinchu in Taiwan.
Weitere Informationen erhalten Sie auf der Website
http://www.tsmc.com.
Informationen zu VisIC Technologies:
VisIC Technologies, Ltd. mit Sitz in Nes Ziona, Israel, wurde 2010
von Experten für Galliumnitrid (GaN)-Technologie gegründet, um
fortschrittliche GaN-basierte Energieumwandlungsprodukte zu
entwickeln und zu vertreiben. VisIC hat erfolgreich GaN-basierte
Hochleistungstransistoren und -module entwickelt und bringt sie auf
den Markt. (Es wird erwartet, dass GaN die meisten Silizium-basierten
(Si)-Produkte, die derzeit in Energieumwandlungssystemen verwendet
werden, ersetzen wird.) VisIC hat maßgebliche Patente für die
GaN-Technologie erhalten und weitere Patente angemeldet.
Weitere Informationen erhalten Sie auf der Website
http://www.visic-tech.com.
Pressekontakt:
Anna Balyasov
+972-8-9720090
Anna(at)visic-tech.com
Original-Content von: VisIC Technologies, übermittelt durch news aktuell
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Datum: 06.02.2018 - 10:01 Uhr
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