30 V PowerTrench® MOSFET von Fairchild Semiconductor bietet höchste Leistungsdichte bei geringem Platzbedarf
Hochleistungshalbleiter in 3,3 mm x 3,3 mm großem PQFN-Gehäuse spart bis zu 66 Prozent Leiterplattenfläche und zeichnet sich durch einen sehr niedrigen RDS(ON) aus
(industrietreff) - Fürstenfeldbruck - 25. April 2012 - Durch die steigenden Anforderungen der Energieeffizienz-Standards und der Endsysteme benötigen die Entwickler von Stromversorgungen energieeffiziente Lösungen, mit denen sie die Baugröße ihrer Stromversorgungen ohne Beeinträchtigung der Leistungsdichte reduzieren können. Die FDMC8010 30V Power 33 MOSFET von Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) erfüllen diese Anforderungen durch die Gewährleistung einer erstklassigen Leistungsdichte sowie geringer Leitungsverluste mit einem nur 3,3 mm x 3,3 mm großen PQFN-Gehäuse.
Der FDMC8010 ist durch die Verwendung der PowerTrench® Technologie von Fairchild bestens für Anwendungen geeignet, wo es auf einen sehr niedrigen RDS(ON) bei kleiner Bauform ankommt, wie in sehr leistungsfähigen DC-DC-Abwärtswandlern, POL-Anwendungen (Point of Load), Last- und Low-Side-Schaltern mit hohem Wirkungsgrad, Spannungsreglern (VRM) und ORing-Funktionen. Durch den Einsatz des FDMC8010 können die Entwickler von einem 5 mm x 6 mm großen auf ein 3,3 mm x 3,3 mm großes Gehäuse umsteigen und somit 66 Prozent der MOSFET-Grundfläche einsparen.
In isolierten 1/16 Brick DC-DC-Wandler-Anwendungen beträgt der maximale RDS(ON) des Power 33 MOSFET nur 1,3 m? und ist damit um 25 Prozent niedriger als bei vergleichbaren Lösungen mit dieser Grundfläche. Zusätzlich reduziert das Bauteil die Leitungsverluste, wodurch der thermische Wirkungsgrad um bis zu 25 Prozent verbessert werden kann. Weitere Informationen und Muster sind erhältlich unter: http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMC8010.html
Funktionen und Vorteile:
- Hochleistungstechnologie für einen erstklassigen RDS(ON) von maximal 1,3 m?
- Standardmäßiger 3,3 mm x 3,3 mm Formfaktor, PQFN - spart Leiterplattenfläche
- Durch den niedrigeren Leistungsverlust ermöglicht das Bauteil eine höhere Leistungsdichte und einen höheren Wirkungsgrad als vergleichbare Lösungen
- Das Gehäuse ist bleifrei und RoHS-konform
Durch diese neuen PowerTrench® Bauteile kann Fairchild sein Produktportfolio bei Niederspannungs-MOSFETs weiter ausbauen und ein umfassendes Portfolio von PowerTrench MOSFETs anbieten. Diese Bauteile sind entscheidend, um eine höhere Energieeffizienz zu erreichen, sowie um die elektrischen und thermischen Leistungsanforderungen der heutigen Elektronik erfüllen zu können.
Fairchild Semiconductor: Solutions for Your SuccessTM.
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Datum: 25.04.2012 - 16:30 Uhr
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