Erweiterte PowerTrench®-MOSFET-Familie von Fairchild Semiconductor erhöht Leistungsdichte und Wirkungsgrad in SMPS-Designs

Mittelspannungs-MOSFETs reduzieren den Gütefaktor durch leistungsfähige Halbleiter und erhöhen die Zuverlässigkeit in synchronen Gleichrichteranwendungen

(industrietreff) - Fürstenfeldbruck - 16. August 2012 - Die Verbesserung der Leistungsdichte und des Wirkungsgrads bei kleiner Last sind für die Entwickler von Servern sowie von Telekommunikations- und AC-DC-Leistungsanwendungen von entscheidender Bedeutung. Zudem erfordert die synchrone Gleichrichtung in diesen Schaltnetzteilen (SMPS) kostengünstige Stromversorgungslösungen, wobei die benötigte Leiterplattenfläche und die Verlustleistung reduziert sowie der Wirkungsgrad erhöht werden müssen. Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) unterstützt die Entwickler bei diesen Herausforderungen durch die Erweiterung der PowerTrench® MOSFET Familie.

Als Teil des Power-MOSFET-Portfolios für den Mittelspannungsbereich sind diese Bauteile optimierte Leistungsschalter, die eine geringe Gate-Ladung (QG) mit einer kleinen Reverse Recovery Ladung (Qrr) und einer Soft-Reverse Recovery Body Diode kombinieren, und somit sehr kurze Schaltzeiten ermöglichen. Die Bauteile sind mit einer Nennspannung von 40V, 60V und 80V verfügbar und benötigen durch die optimierte Soft-Body-Diode, die gegenüber anderen Lösungen Spannungsspitzen um bis zu 15 Prozent reduziert, weniger Verlustleistung in der Snubber-Schaltung.

Durch den Einsatz der Shielded-Gate-Technologie, die ein Ladungsgleichgewicht ermöglicht, zeichnen sich die Bauteile durch eine höhere Leistungsdichte, geringeres Einschwingen und einen besseren Wirkungsgrad bei kleiner Last aus. Durch diese Technologie erreichen die Bauteile einen niedrigeren Gütefaktor (QG x RDS(ON)) während die Treiberverluste reduziert und damit die Leistungseffizienz erhöht werden.
Zu den ersten verfügbaren Bauteilen gehören der 40V FDMS015N04B und der 80V FDMS039N08B in einem Power56-Gehäuse, sowie der 60V FDP020N06B und der 80V FDP027N08B in einem dreipoligen TO-220 Gehäuse.

Funktionen und Vorteile:
- Kleinere Gehäusegröße (Power56 und dreipoliges TO-220) mit maximaler thermischer Leistung im Vergleich zur Systemgröße

- Geringerer QG reduziert die Treiberverluste
- Niedriges QGD/QGS-Verhältnis verhindert unerwünschtes Einschalten und verbessert die Systemzuverlässigkeit
- Geringere dynamische parasitäre Kapazitäten reduzieren die Treiberverluste in hochfrequenten Anwendungen
- 100 % UIL geprüft
- RoHS conform

Mit den neuen PowerTrench MOSFETs erweitert Fairchild sein MOSFET-Portfolio im Mittelspannungsbereich. Diese Bauteile sind Teil des umfangreichen PowerTrench Technologie-Portfolios und entscheidend, um eine höhere Energieeffizienz erreichen, sowie die elektrischen und thermischen Leistungsanforderungen der heutigen Elektronik erfüllen zu können.
Fairchild Semiconductor: Solutions for Your SuccessTM.

Preis: US-Dollar ab 1.000 Stück

FDMS015N04B: $1,78
FDMS039N08B: $1,60
FDP020N06B: $4,50
FDP027N08B: $3,30

Verfügbarkeit: Muster sind auf Anfrage ab sofort erhältlich.

Lieferzeit: 8-12 Wochen

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http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS015N04B.pdf

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Datum: 16.08.2012 - 13:00 Uhr
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