IndustrieTreff - Bahnbrechende Hochtemperatur MEMS-Oszillatoren mit einer Stabilität von +/-25ppm im Temperaturberei

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Bahnbrechende Hochtemperatur MEMS-Oszillatoren mit einer Stabilität von +/-25ppm im Temperaturbereich -55..+125°C

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(PresseBox) - Die SiTime Corporation stellte am 23. Januar 2013 den neuen SiT8920 MEMS Oszillator vor, speziell geeignet für industrielle Anwendungen mit hohen Anforderungen an die Zuverlässigkeit (high reliability).
Im Vergleich zu herkömmlichen Quarzoszillatoren hat dieser MEMS Oszillator die Vorteile eines äußerst großen Betriebstemperaturbereiches (-55..+125°C), einer halbierten Stromaufnahme bei doppelter Stabilität, 20facher Zuverlässigkeit und 30facher Robustheit bei Schock und Vibration. Gerade in rauher Betriebsumgebung kommen diese Vorteile zum Tragen, erhöhen die Performance und verringern das Ausfallrisiko Ihres Systems.
Zusätzlich zu den hervorragenden technischen Daten verfügt der SiT8920 über einzigartige Features wie beispielsweise die SoftEdge Technologie zur Steuerung der Flankensteilheit und damit zur Reduzierung von EMI-Abstrahlung ohne zusätzliche Bauelemente oder Abschirmmaßnahmen.
Gleichzeitig zum SiT8920 führt SiTime zwei neue Oszillatoren ein, als Ersatz herkömmlicher Quarz Oszillatoren und Resonatoren. Beide für den Betriebstemperaturbereich -40..+125°C:
SiT1618 - Festfrequenz-Oszillator
SiT8918 - MEMS Oszillator mit programmierbarer Frequenz von 1..110MHz, 1.8V, 2.5..3.3V
Unter den vielen einzigartigen Features der neuen Hochtemperatur-Oszillatoren seien noch folgende erwähnt:
30x bessere Robustheit als Quarzoszillatoren
0,1ppb/g Vibrationsempfindlichkeit - der beste Wert industrieweit!
50.000g Schock und 70g Vibrationsfestigkeit
500.000.000h MTBF (2 FIT) - 20x besserer Wert als bei Quarzoszillatoren
±25ppm Stabilität über den gesamten Temperaturbereich
Stromaufnahme < 4mA
5 Standard-Gehäusevarianten von 7x5mm bis hinab zu 2.0x1.6mm
Direkter Ersatz für Quarzoszillatoren
Muster aller SiTime-Oszillatoren sind ab sofort bei CompoTEK verfügbar!






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Datum: 13.02.2013 - 11:21 Uhr
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