AOS erweitert sein 600 V AlphaMOS(TM) Portfolio durch robuste Lösungen für den Beleuchtungsmarkt
(PresseBox) - AOS, ein Spezialist für Leistungshalbleiter und ?ICs, stellt unter den Bezeichnungen AOD4C60, AOD3C60 und AOD4C60 neue Mitglieder der 600 V AlphaMOS?-Familie vor, welche robuste Hochleistungsbauelemente mit niedrigem Durchgangswiderstand und gesteuerten Schaltvorgängen bietet. Die neuen Typen eignen sich hervorragend für gewerbliche und industrielle CFL-Beleuchtung sowie für LED-Beleuchtung in privaten und gewerblich genutzten Wohnräumen.
Der AOD4C60, AOD3C60 und AOD2HC60 basieren auf der proprietären AlphaMOS-Technologie, welche sich durch ein effizientes Schaltverhalten und zuverlässige Funktionssicherheit auszeichnet. Der Aufbau dieser Komponenten ermöglicht eine EMV-optimierte Spannungs- und Stromänderung während des Schaltvorgangs und reduziert damit das für Bauelemente vom Super-Junction-Typ typische Überschwingen. Darüber hinaus weisen die neuen Komponenten einen dreifach höheren Avalanche-Strom als vergleichbare Super-Junction-Bauelemente auf, was den Leistungsschaltungen ermöglicht, Störzuständen wie Hochspannungsstößen oder Blitzschlägen standzuhalten. Die zu 100 % Rg- und UIS-getesteten Bauelemente sind als 4 A, 3 A und 2,5 A Ausführungen erhältlich und befinden sich in einem umweltfreundlichen DPAK-Gehäuse.
?Da sich Bauherren und Hausbesitzer zunehmend dem Ersatz konventioneller Beleuchtung durch LED-Lösungen zuwenden, gibt es einen steigenden Bedarf an robusten und effizienten Energielösungen. Unsere neuesten 600 V AlphaMOS?-Komponenten bieten eine erstklassige Avalanche-Leistung in Verbindung mit weicher Schaltcharakteristik um diese Anforderungen zu erfüllen?, sagt Stephen Chang, Sr. Product Marketing Manager bei AOS.
AOD4C60 Leistungsmerkmale
600 V N-Kanal MOSFET
ID = 4 A
RDS(ON) < 0,95 ? bei VGS = 10 V
COSS = 41 pF
Qg (10 V) = 14 nC
AOD3C60 Leistungsmerkmale
600 V N-Kanal MOSFET
ID = 3 A
RDS(ON) < 1,4 ? bei VGS = 10 V
COSS = 29 pF
Qg (10 V) = 10,3 nC
AOD2HC60 Leistungsmerkmale
600V N-Kanal MOSFET
ID = 2,5 A
RDS(ON) < 2 ? bei VGS = 10 V
COSS = 23 pF
Qg (10 V) = 7,6 nC
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Datum: 28.05.2013 - 16:55 Uhr
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