Fujitsu präsentiert neue FRAM-Produktserie mit erweitertem Spannungsbereich

Die neue FRAM-V-Serie bietet effizientere Lösungen in Design und Logistik für Industrie- und Zählerapplikationen

(industrietreff) - Langen, Deutschland, 14. Februar 2012 - Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) stellte heute eine neue FRAM-Produktserie (für ferroelektrische RAM-Speicher) mit einem erweiterten Spannungsbereich von 3,0 bis 5,5 Volt vor, die Kunden deutlich mehr Flexibilität im Design von Lösungen für Industrie und Zählerapplikationen bietet. Mit dieser Produktserie unterstützt Fujitsu nicht nur 3-Volt-, sondern auch 5-Volt-Systeme. Die höhere Betriebsspannung der neuen Produktserie führt zu einem höheren Signalrauschabstand und macht das Gesamtsystem damit robuster. Zudem sinkt die Zahl der Komponenten, die von Kunden qualifiziert und bereit gehalten werden müssen. So können Design- und Logistikabläufe dank der V-Serie effizienter gestaltet werden.

V-Serie: Maßgeschneiderte Lösungen für Industrie- und Zählerapplikationen
Die neue FRAM-"V-Serie" umfasst Produkte von 16kbit bis 256kbit und deckt sowohl I²C- als auch SPI-Schnittstellen ab. Die ersten beiden Angebote der neuen Produktserie, MB85RC16V und MB85RC64V, besitzen serielle I²C-Schnittstellen und arbeiten mit einer Betriebsfrequenz von maximal 400 kHz sowie einer Speicherdichte von 16kbit bzw. 64kbit. Gegenüber den 3-V-Produkten zeichnen sich die neuen Speicher MB85RC16V und MB85RC64V durch eine geringere aktive Stromaufnahme von 40 µA (bei 400 kHz) aus, der Ruhestrom liegt bei extrem niedrigen 5 µA. Auch in Bezug auf die Zuverlässigkeit hat Fujitsu signifikante Verbesserungen mit der V-Serie erreicht. Die neuen Produkte haben einen Datenerhalt von 10 Jahren bei 85 °C und sind für 1 Billion (1012) Schreib-/Lesezyklen ausgelegt. Zudem ist die Funktion für den Industrie-Temperaturbereich von -40 bis +85 °C garantiert. Die V-Serie wurde speziell für die Bereiche Industrie und Zählerapplikationen konzipiert und erfüllt daher die Hauptanforderungen dieser Märkte, insbesondere niedrige Stromaufnahme, Robustheit und hohe Zuverlässigkeit. Da es noch zahlreiche 5-V-Systeme gibt, die parallel zu 3-V-Systemen arbeiten, wäre es aufgrund der Spannungsdifferenz ansonsten notwendig, ein anderes Komponentenset einzusetzen.

FRAM-Produkte
FRAM ist eine spezielle Form des nichtflüchtigen Speichers, der die Vorteile von SRAMs und EEPROMs mit schnellen Schreibzyklen, extrem niedriger Leistungsaufnahme und einer praktisch unbegrenzten Anzahl von Schreib-/Lesezyklen kombiniert. Deshalb ist FRAM eine gute Alternative zu EEPROMs geworden, insbesondere bei Anwendungen wie Stromzähler, Produktionsautomatisierung oder Überwachungssystemen etc. Praktisch überall dort, wo häufig protokolliert wird, eine niedrige Leistungsaufnahme erwünscht ist und Datenverluste - selbst bei plötzlichem Stromausfall - verhindert werden müssen. Neben der V-Serie bietet Fujitsu bereits eine Vielzahl von FRAM-Produkten mit Betriebsspannungen zwischen 2,7 und 3,6V und I²C-, SPI- oder parallelen Schnittstellen an. Die Speicherdichte liegt zwischen 16kbit und 4Mbit.

Verfügbarkeit und Weiterentwicklung der V-Serie
Die FRAM-Produkte MB85RC16V und MB85RC64V befinden sich jetzt in der Serienproduktion. Nach der Markteinführung wird Fujitsu im Mai 2012 ein drittes Derivat, den Baustein MB85RS64V mit SPI-Schnittstelle, präsentieren. In 2012 werden außerdem weitere Derivate mit 256kbit und I²C- bzw. SPI-Schnittstellen auf den Markt kommen. Alle Produkte dieser Serie sind bzw. werden in EEPROM-kompatiblen 8-Pin Kunststoff-SOP-Gehäusen erhältlich sein.

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Datum: 14.02.2012 - 17:15 Uhr
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